【未分类_FQU20N06LTU】封装/厂家_FQU20N06LTU中文资料_价格

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型号： FQU20N06LTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQU20N06LTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU20N06LTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU20N06LTU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQU20N06LTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU20N06LTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQU20N06LTU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。其应用场景广泛，适用于多种电子设备和电路设计，以下是一些主要的应用领域：

1. 开关电源（SMPS）：  
   FQU20N06LTU 的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 0.045 Ω）使其非常适合用于开关电源中的功率开关，能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗。

2. 电机驱动：  
   该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关或 H 桥的一部分，实现电机的正转、反转及速度调节功能。

3. 负载开关：  
   在便携式电子设备（如手机、平板电脑等）中，FQU20N06LTU 可用作负载开关，动态控制不同模块的供电状态，以优化功耗。

4. 电池管理：  
   该器件适用于电池保护电路，例如防止过流、短路或反向电压对电池组的损害，同时支持高效的充电和放电管理。

5. 逆变器与转换器：  
   在 DC-DC 或 DC-AC 转换器中，FQU20N06LTU 可用作功率级开关，提供稳定的输出电压或电流。

6. 照明控制：  
   它可用于 LED 照明驱动电路中，通过 PWM 调光或其他调制方式控制 LED 的亮度。

7. 信号放大与缓冲：  
   在某些低频信号处理应用中，FQU20N06LTU 可用作信号放大或缓冲元件，提供更高的驱动能力。

8. 汽车电子：  
   该 MOSFET 的耐压能力（60V）和高可靠性使其适合汽车电子中的简单负载控制，例如车窗升降器、座椅调节器等。

9. 家用电器：  
   在小家电（如风扇、吸尘器等）中，FQU20N06LTU 可用于功率控制和调速功能。

综上所述，FQU20N06LTU 凭借其低导通电阻、高效率和可靠性能，在消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域具有广泛的应用价值。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAKMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	17.2 A
Id-连续漏极电流	17.2 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU20N06LTUQFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FQU20N06LTU
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	63 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	63 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	165 ns
下降时间	70 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	630pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	13nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	60 毫欧 @ 8.6A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	I-Pak
其它名称	FQU20N06LTU-ND FQU20N06LTUFS
典型关闭延迟时间	35 ns
功率-最大值	2.5W
包装	管件
单位重量	343.080 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
封装/箱体	IPAK-3
工厂包装数量	70
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	70
正向跨导-最小值	10 S
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	17.2A （Tc）
系列	FQU20N06
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	FQU20N06LTU_NL