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PSMN2R4-30MLDX产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R4-30MLDX由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R4-30MLDX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R4-30MLDX封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 70A(Tc) 91W(Tc) LFPAK33。您可以下载PSMN2R4-30MLDX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN2R4-30MLDX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R4-30MLDX是由Nexperia USA Inc.生产的一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理: PSMN2R4-30MLDX具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于各种电源管理应用,如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电压调节模块(VRM)等。其高效的能量转换特性使其成为节能设计的理想选择。 2. 电机驱动: 该器件可应用于小型电机驱动电路中,例如家用电器(如风扇、泵、吸尘器)和工业自动化设备中的电机控制。其快速开关特性和低功耗有助于提高电机驱动效率。 3. 负载开关: 在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中,PSMN2R4-30MLDX可用作负载开关,用于动态管理不同组件的供电状态,从而延长电池寿命。 4. 保护电路: 该MOSFET可用于过流保护、短路保护和反向电池保护等电路中。其坚固的设计能够承受瞬态过载情况,确保系统的安全运行。 5. 汽车电子: 在汽车领域,PSMN2R4-30MLDX可用于车身控制模块(BCM)、电动助力转向系统(EPS)、空调系统以及LED照明驱动等应用中。其符合AEC-Q101标准的版本特别适合汽车环境下的严苛要求。 6. 通信设备: 在基站、路由器和其他通信设备中,该MOSFET可以用于信号放大、功率调节和散热管理,以支持高效的数据传输和处理。 总之,PSMN2R4-30MLDX凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域,为现代电子产品提供高效、稳定的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33MOSFET 30V N-Channel 2.4mOhm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,4.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 70 A |
Id-连续漏极电流 | 70 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R4-30MLDX- |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN2R4-30MLDX |
Pd-PowerDissipation | 91 W |
Pd-功率耗散 | 91 W |
Qg-GateCharge | 51 nC |
Qg-栅极电荷 | 51 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.2 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 2.2 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
上升时间 | 23 ns |
下降时间 | 13 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3264pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | LFPAK33 |
其它名称 | 568-11374-6 |
典型关闭延迟时间 | 19 ns |
功率-最大值 | 91W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 3.2 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 根引线) |
封装/箱体 | LFPAK33-4 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 70 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/nextpowers3-mosfets/52333 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 70A (Tmb) |
通道模式 | Enhancement |