Datasheet下载- 型号： FQAF8N80
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF8N80由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF8N80价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF8N80封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQAF8N80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQAF8N80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQAF8N80是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高压N沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有8A电流承载能力和800V漏源击穿电压，适用于高电压、中等功率的开关应用。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC转换器中，如电源适配器、充电器、PC电源和工业电源，因其高耐压和良好开关特性，有助于提升能效并减小系统体积。 2. 照明驱动：应用于电子镇流器、LED驱动电源和高强度放电灯（HID）镇流器，支持高频工作，提高照明系统稳定性与效率。 3. 电机控制：适用于工业电机驱动和家用电器中的电机控制电路，作为功率开关实现高效能量转换。 4. 逆变器系统：在太阳能逆变器或不间断电源（UPS）中用于直流到交流的转换环节，具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 高压电源模块：用于电信设备、服务器电源等对可靠性和能效要求较高的场合。 FQAF8N80采用先进的平面栅极工艺，具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和优秀的雪崩能量承受能力，同时内置快速恢复体二极管，有助于减少外部元件数量。其TO-220F或类似封装形式便于散热设计，适合紧凑型高功率密度设计。 综上，FQAF8N80是一款高性能高压MOSFET，适用于多种工业、消费类及绿色能源领域的电源转换系统，尤其适合需要高效率、高可靠性的中高功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 5.9A TO-3PF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQAF8N80 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.95A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 功率-最大值 | 107W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | SC-94 |
| 标准包装 | 360 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.9A （Tc） |
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