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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7615ADN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7615ADN-T1-GE3价格参考。VishaySI7615ADN-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7615ADN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7615ADN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7615ADN-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和高切换效率的特点。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: - 适用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、电压调节模块(VRM)等场景。其低 Rds(on) 可减少功率损耗,提高系统效率。 - 在电池管理系统中,用于控制电流流动或保护电路免受过流影响。 2. 电机驱动: - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停和速度。 - 其快速切换能力和低导通损耗使其适合高效电机控制应用。 3. 负载开关: - 在消费电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中用作负载开关,实现对不同负载的动态供电管理。 - 提供快速开启/关闭功能,同时降低功耗。 4. 电池保护: - 在便携式设备中,用于防止电池过充、过放或短路等问题。 - 其低导通电阻可减少电池路径上的电压降,延长设备运行时间。 5. 信号切换: - 在多路复用器或多通道音频/视频切换电路中,作为信号路径的开关。 - 确保信号完整性的同时,降低插入损耗。 6. 汽车电子: - 用于车载电子设备(如信息娱乐系统、照明控制、传感器接口)中的电源管理和信号切换。 - 符合汽车级可靠性要求(具体需确认是否满足 AEC-Q101 标准)。 7. 工业自动化: - 在 PLC、继电器驱动、传感器接口等工业控制领域中,用作高效开关元件。 - 支持高频切换,适应复杂的工业环境。 总结来说,SI7615ADN-T1-GE3 凭借其优异的电气特性和紧凑封装(TrenchFET Gen III 技术),广泛应用于需要高效功率转换和低损耗开关的场景中,特别适合消费电子、通信、工业和汽车领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8SMOSFET -20V 4.4mOhm@10V 35A P-Ch G-III |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 35 A |
Id-连续漏极电流 | - 35 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7615ADN-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7615ADN-T1-GE3SI7615ADN-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 52 W |
Pd-功率耗散 | 52 W |
Qg-GateCharge | 59 nC |
Qg-栅极电荷 | 59 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5590pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 183nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.4 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
其它名称 | SI7615ADN-T1-GE3DKR |
功率-最大值 | 52W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 35A (Tc) |
系列 | SI76xxADx |
配置 | Single |
零件号别名 | SI7621DN-T1-GE3 |