ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDP5N50NZ
Datasheet下载- 型号： FDP5N50NZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDP5N50NZ产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP5N50NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP5N50NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDP5N50NZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3。您可以下载FDP5N50NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP5N50NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP5N50NZ 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于以下场景： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电源适配器，因其高耐压（500V）和良好的导通电阻特性，适合中高功率电源系统。 2. 电机控制：用于直流电机驱动器和无刷电机控制系统，具备高电流承载能力与快速开关特性，可提升电机效率与响应速度。 3. 照明系统：在LED照明、镇流器和高压照明控制中作为开关元件，支持高电压工作环境，确保系统稳定。 4. 工业自动化：广泛应用于工业电机驱动、继电器替代与负载开关，具备高可靠性和耐用性，适合恶劣工业环境。 5. 消费电子：如电视电源、充电器与家电控制电路，因封装小巧且性能稳定，适合空间受限的设计。 6. 新能源领域：太阳能逆变器与储能系统中，用于高效能量转换与管理，支持高压直流系统。 该器件采用TO-220封装，安装简便，适用于多种电路设计。总结而言，FDP5N50NZ凭借其高耐压、良好导通性能和可靠性，适用于电源、工业控制、照明及新能源等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220MOSFET N-Chan UniFET2 500V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP5N50NZUniFET-II™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP5N50NZ |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 78 W |
| Pd-功率耗散 | 78 W |
| Qg-GateCharge | 9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.38 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.38 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 78W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 3.54 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
| 系列 | FDP5N50 |
