【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FQP20N06L】封装/厂家_FQP20N06L中文资料_价格

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型号： FQP20N06L
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FQP20N06L产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP20N06L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP20N06L价格参考￥4.04-￥4.04。Fairchild SemiconductorFQP20N06L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 60V 21A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220-3。您可以下载FQP20N06L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP20N06L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 60V 21A TO-220MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	21 A
Id-连续漏极电流	21 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP20N06LQFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FQP20N06L
Pd-PowerDissipation	53 W
Pd-功率耗散	53 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	42 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	42 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	165 ns
下降时间	70 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	630pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	13nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	55 毫欧 @ 10.5A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220
典型关闭延迟时间	35 ns
功率-最大值	53W
包装	管件
单位重量	1.800 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
正向跨导-最小值	11 S
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	21A （Tc）
系列	FQP20N06
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	FQP20N06L_NL