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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP5NK80Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP5NK80Z价格参考。STMicroelectronicsSTP5NK80Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP5NK80Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP5NK80Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STP5NK80Z是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - STP5NK80Z常用于开关电源中的功率开关器件,例如降压、升压或反激式转换器。 - 其高耐压(800V)特性使其适用于高压输入环境,如AC-DC转换器。 2. 电机驱动 - 在小型电机控制中,该MOSFET可用作开关元件,实现对电机的启停、速度和方向控制。 - 特别适合低功耗、高效率的直流电机驱动应用。 3. 逆变器 - 用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,作为高频开关器件。 - 高击穿电压和低导通电阻特性有助于提高逆变器的效率和可靠性。 4. 负载开关 - 在需要高电压切换的应用中,STP5NK80Z可用作负载开关,控制不同负载的供电状态。 - 例如,在工业设备或家用电器中实现节能模式。 5. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护或浪涌电流抑制电路中。 - 其快速开关特性和高耐压能力能够有效保护后级电路免受损坏。 6. 电磁阀和继电器驱动 - 在工业自动化领域,该MOSFET可用于驱动电磁阀或继电器,提供稳定的电流输出。 - 高耐压性能确保其在复杂电磁环境中稳定工作。 7. 音频放大器 - 在某些高效能音频放大器设计中,STP5NK80Z可用作输出级开关器件。 - 提供低失真和高效率的音频信号放大。 总结 STP5NK80Z凭借其800V的高耐压、低导通电阻和出色的开关性能,适用于高压、高频和高效率需求的场景。它在消费电子、工业控制、汽车电子和能源管理等领域都有广泛应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220MOSFET N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP5NK80ZPowerMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STP5NK80Z |
Pd-PowerDissipation | 110 W |
Pd-功率耗散 | 110 W |
Qg-GateCharge | 32.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 32.4 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 30 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 910pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 欧姆 @ 2.15A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-7527-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67400?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 45 ns |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.438 g |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 4.25 S |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.3A (Tc) |
系列 | STP5NK80Z |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |