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产品简介:
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IRFR1N60ATRR 是 Vishay Siliconix(现为 Vishay Microelectronics)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件主要应用于需要高效、高速开关性能的电力电子系统中。其典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,适用于要求高效率和小体积的设计。 2. 电机控制:用于无刷直流电机(BLDC)驱动器、电动工具、电动车控制器等场合,提供快速开关和低导通损耗。 3. 照明系统:如LED驱动器、HID灯镇流器等,支持高频率开关以实现更小的外围元件和更高的调光精度。 4. 家电控制:如电磁炉、微波炉、洗衣机等家用电器中的功率控制模块,具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 工业自动化:在PLC、继电器替代、工业电源等设备中用作功率开关,具有较强的负载能力和抗干扰能力。 该MOSFET具有600V的漏源击穿电压(VDS)和较高的工作电流能力,采用TO-220封装,便于散热和安装,适用于中高功率应用场景。其快速开关特性和低导通电阻使其在节能和热管理方面表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91267 |
产品图片 | |
产品型号 | IRFR1N60ATRR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 229pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 欧姆 @ 840mA,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 36W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.4A (Tc) |