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产品简介:
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APT60M75JVR是由Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)生产的一款MOSFET功率晶体管,属于N沟道增强型MOSFET。该器件常用于高功率、高频开关应用中,具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,适用于需要高效能和高稳定性的工业电源设备。 2. 电机驱动与控制:用于电机驱动电路中,如无刷直流电机(BLDC)控制、伺服电机驱动器等,提供快速开关响应和高效率。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器中作为功率开关元件,实现电能的高效转换与调节。 4. 工业自动化设备:用于工业自动化、机器人控制系统中的功率管理模块,支持高负载能力与快速响应。 5. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统中的功率控制模块,适合在高频率和高效率要求的可再生能源系统中使用。 综上,APT60M75JVR适用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的工业及能源管理应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 |
产品分类 | FET - 模块 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Microsemi Power Products Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6445-apt60m75jvr-a-pdf |
产品图片 | |
产品型号 | APT60M75JVR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | POWER MOS V® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 19800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1050nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 75 毫欧 @ 500mA,10V |
供应商器件封装 | ISOTOP® |
功率-最大值 | 700W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
标准包装 | 10 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 62A |