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产品简介:
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DMN10H120SFG-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载开关:DMN10H120SFG-7 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用作负载开关,用于控制电路中不同负载的供电。 - DC-DC 转换器:在降压或升压 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可作为主开关或同步整流器,提高效率并减少功率损耗。 - LDO 稳压器:可以用作低压差稳压器中的开关元件,提供稳定的输出电压。 2. 消费电子 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等,需要高效、小型化的功率开关,这款 MOSFET 可满足需求。 - 音频放大器:用于驱动扬声器或其他音频设备,提供高效的功率传输。 3. 工业应用 - 电机驱动:适用于小功率直流电机驱动,通过 PWM(脉宽调制)控制电机速度和方向。 - 传感器接口:用于工业自动化系统中,作为传感器信号的开关或隔离元件。 4. 通信设备 - 数据通信:在网络交换机、路由器等设备中,可用作信号路径上的开关或保护元件。 - 无线充电:在无线充电器中,该 MOSFET 可用于功率传输和负载管理。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:如导航系统、娱乐系统和照明控制,需要高可靠性和低功耗的开关元件。 - 电池管理系统 (BMS):用于电动汽车或混合动力汽车的电池保护和能量管理。 6. 其他应用 - LED 驱动:用于控制 LED 灯串的亮度和开关状态,支持高效的电流调节。 - 保护电路:如过流保护、短路保护等,利用其快速开关特性和低损耗性能。 总结来说,DMN10H120SFG-7 凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式,广泛应用于各种需要高效功率转换和开关控制的场景中,特别适合对空间和能耗要求较高的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMN10H120SFG-7 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 549pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 110 毫欧 @ 3.3A,10V |
供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
其它名称 | DMN10H120SFG-7DIDKR |
功率-最大值 | 1W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.4A (Ta) |