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STB6NK90ZT4产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STB6NK90ZT4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB6NK90ZT4价格参考。STMicroelectronicsSTB6NK90ZT4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 900V 5.8A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载STB6NK90ZT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB6NK90ZT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STB6NK90ZT4是一款N沟道增强型高压MOSFET,属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有900V的高击穿电压和6A的连续漏极电流能力,采用TO-220FP或类似封装,具备良好的热稳定性和可靠性。 STB6NK90Z7T4主要应用于需要高电压、高效率开关性能的场合。典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC转换器中,如电视、显示器、充电器和工业电源模块,适用于反激式或准谐振拓扑结构,实现高效能电能转换。 2. 照明系统:适用于电子镇流器、LED驱动电源和高压卤素灯控制电路,支持高启动电压和稳定工作电流。 3. 电机驱动与控制:在小型家电、工业控制设备中的电机驱动电路中作为开关元件,提供快速响应和低导通损耗。 4. 待机电源电路:用于电视机、空调等家用电器的待机电源部分,满足节能标准(如Energy Star)对低待机功耗的要求。 5. 工业与消费类电源适配器:适用于宽输入电压范围的电源设计,具备良好的抗浪涌能力和温度稳定性。 该MOSFET集成了快速恢复体二极管,有助于减少外部元件数量,提升系统可靠性。其“Z”系列设计优化了雪崩能量耐受能力,适合应对高电压瞬变环境。综合来看,STB6NK90ZT4是一款适用于中高功率、高可靠性要求的通用高压开关器件,特别适合节能型电源设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAKMOSFET N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.8 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB6NK90ZT4SuperMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB6NK90ZT4 |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 46.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 46.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 2.9A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-6555-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67847?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.8A (Tc) |
| 系列 | STB6NK90Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |