Datasheet下载- 型号： IRF6611TR1
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6611TR1由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6611TR1价格参考。International RectifierIRF6611TR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6611TR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6611TR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF6611TR1 是一款N沟道功率MOSFET，属于高性能场效应晶体管（FET），广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电源管理系统中。该器件适用于多种工业、消费类及汽车电子场景。 典型应用场景包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路以及电池供电设备中的功率控制。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率，特别适合高电流负载场合。此外，IRF6611TR1具备优良的热稳定性和快速开关特性，可用于逆变器、LED照明驱动电源和电源管理模块等对能效要求较高的设计中。 在消费电子产品如笔记本电脑、移动充电设备和家用电器中，该MOSFET可实现紧凑型高效电源方案。同时，因其可靠性和耐用性，也常见于工业自动化设备、电动工具和小型电动车辆的控制系统中。 封装形式为表面贴装（如PowerPAK SO-8），便于自动化生产并提升散热性能，适用于高密度PCB布局。总体而言，IRF6611TR1是一款通用性强、效率高的功率MOSFET，适合中等功率级别的开关应用，满足现代电子设备对节能、小型化和高可靠性的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6611TR1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4860pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.6 毫欧 @ 27A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其它名称 | IRF6611TR1TR |
| 功率-最大值 | 3.9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Ta）， 150A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6611.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6611.spi |
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