Datasheet下载- 型号： SI4778DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4778DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4778DY-T1-E3价格参考。VishaySI4778DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4778DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4778DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4778DY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于中低功率的电源管理和负载开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的 DC-DC 转换器和电源开关，具有低导通电阻（Rds(on)），可减少功率损耗，提高效率。 2. 负载开关：用于控制电池供电系统中的负载连接与断开，如在电源管理系统中实现对不同模块的供电控制，以延长电池寿命。 3. 电机驱动与继电器替代：可用于小型电机、电磁阀或继电器的开关控制，具备较高的开关速度和可靠性，适用于工业自动化和消费类电子产品。 4. 热插拔电路：适合用于服务器和通信设备中的热插拔电源控制，限制启动电流，保护系统稳定。 该 MOSFET 采用小型封装（如 TSOP），节省空间，适合高密度 PCB 设计。其低栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现良好。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4778DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
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