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NUP4201DR2G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NUP4201DR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NUP4201DR2G价格参考。ON SemiconductorNUP4201DR2G封装/规格:TVS - 二极管, 25V Clamp 25A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount 8-SOIC。您可以下载NUP4201DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NUP4201DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NUP4201DR2G是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于电路的静电放电(ESD)和浪涌电压保护。该器件采用双通道设计,封装为SOT-23,体积小巧,适合空间受限的应用。 典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)、消费类电子产品(如数码相机、MP3播放器)、通信接口(如USB端口、HDMI接口、RS-232、以太网端口)以及工业控制设备中的信号线保护。在这些应用中,NUP4201DR2G可有效吸收高达±15kV的空气放电和±8kV接触放电的ESD脉冲,防止敏感集成电路因静电冲击而损坏。 此外,它也常用于汽车电子系统中的低功率信号线路防护,例如车载信息娱乐系统的接口保护,具备良好的可靠性和温度稳定性。其快速响应时间(通常小于1纳秒)能及时钳制瞬态高压,保护后级电路安全。 综上,NUP4201DR2G适用于各类需要高可靠性ESD和瞬态电压保护的低压、高速信号线路场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 5VWM 25VC 8SOICTVS二极管阵列 LO CAPACITANCE SURF MNT TVS |
| 产品分类 | |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor NUP4201DR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NUP4201DR2G |
| 不同频率时的电容 | 5pF @ 1MHz |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NUP4201DR2GOSDKR |
| 击穿电压 | 6 V |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 4 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 尺寸 | 4 (Max) mm W x 5 (Max) mm L |
| 峰值浪涌电流 | 10 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 500 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 5 V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 6V |
| 电压-反向关态(典型值) | 5V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 25V |
| 电容 | 5 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 25A (8/20µs) |
| 电源线路保护 | 是 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 转向装置(轨至轨) |
| 系列 | NUP4201DR2 |
| 通道 | 4 Channels |
| 钳位电压 | 12 V |