ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI7366DP-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI7366DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI7366DP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7366DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7366DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7366DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 13A（Ta） 1.7W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7366DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7366DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7366DP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通损耗的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：SI7366DP 的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 2.5mΩ）使其非常适合用于高效 DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，控制电源的开启和关闭，同时减少功耗。 - 电池管理系统 (BMS)：用于保护电池组免受过流、短路等异常情况的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于玩具、家用电器（如风扇、泵）中的电机驱动电路，提供高效的开关性能。 - H桥电路：在 H 桥配置中，用于双向电机控制，确保低损耗和高可靠性。 3. 消费电子 - 笔记本电脑和智能手机：作为电源路径管理的一部分，用于充电电路、USB-PD 控制和其他电源分配功能。 - 音频放大器：在 D 类音频放大器中用作输出级开关，提供高效能的声音输出。 4. 工业应用 - 固态继电器：替代传统机械继电器，用于开关高电流负载，具有更快的响应速度和更长的使用寿命。 - 太阳能逆变器：在微逆变器或优化器中使用，提高能量转换效率。 5. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM)：用于控制车窗升降、座椅调节等功能的电源开关。 - LED 照明驱动：为汽车内外 LED 灯提供高效驱动方案，支持亮度调节。 6. 通信设备 - 基站电源：在电信基础设施中，用于高效电源转换和分配。 - 服务器和网络设备：作为电源模块中的关键组件，确保系统的稳定性和效率。 SI7366DP-T1-GE3 的封装形式为 PowerPAK® SO-8，具备出色的热性能和电气特性，适合高密度设计。其低 Rds(on) 和高电流处理能力（最大连续漏极电流为 54A），使其成为许多现代电子设备的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8MOSFET 20V 20A 5.0W 5.5mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72296 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7366DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7366DP-T1-GE3SI7366DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.7 W |
| Pd-功率耗散 | 1.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7366DP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 58 ns |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7366DP-GE3 |
