Datasheet下载- 型号： SI4486EY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4486EY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4486EY-T1-E3价格参考。VishaySI4486EY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4486EY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4486EY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4486EY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的电子设备中。其主要特点包括低导通电阻、高耐压（-30V）和大电流承载能力（-22A），适用于负载开关、电源管理及直流电机控制等场景。 该器件常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子产品中的电源管理系统，作为负载开关或逆向阻断保护元件，以提高系统效率并延长电池续航时间。此外，SI4486EY-T1-E3 也适用于 DC-DC 转换器、热插拔电路以及汽车电子系统中的功率控制模块。 由于其采用 TSSOP 封装，体积小巧且散热性能良好，适合高密度 PCB 设计。在工业控制领域，该 MOSFET 可用于继电器驱动、马达控制及传感器供电等应用。整体而言，SI4486EY-T1-E3 是一款高性能、多功能的功率 MOSFET，适用于多种中高功率电子系统中的开关与控制任务。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4486EY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 7.9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4486EY-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A （Ta） |
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