【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IXKK85N60C】封装/厂家_IXKK85N60C中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IXKK85N60C
制造商： IXYS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXKK85N60C由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXKK85N60C价格参考。IXYSIXKK85N60C封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 600V 85A（Tc） TO-264A。您可以下载IXKK85N60C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXKK85N60C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS的IXKK85N60C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括：

1. 开关电源（SMPS）：  
   IXKK85N60C具有600V的高击穿电压和低导通电阻（Rds(on)），非常适合用于开关电源中的功率开关器件，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其快速开关特性和低损耗使其在高频开关应用中表现出色。

2. 电机驱动：  
   该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。其高电流承载能力（高达85A峰值）和低导通电阻能够有效降低功耗，提高系统效率。

3. 逆变器：  
   在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，IXKK85N60C可用作功率开关，实现直流到交流的高效转换。其耐高压特性确保了在高电压环境下稳定运行。

4. 不间断电源（UPS）：  
   该器件适用于UPS系统中的功率管理部分，提供高效的电能转换和保护功能，同时支持快速响应和稳定的输出。

5. 电子负载和保护电路：  
   IXKK85N60C可用于设计电子负载设备或过流保护电路。其高可靠性和耐用性使其能够在严苛的工作条件下长时间运行。

6. 工业控制：  
   在工业自动化领域，这款MOSFET可应用于固态继电器、电磁阀驱动、加热器控制等场景，提供精确的功率控制和快速切换能力。

7. 电动汽车和电动工具：  
   其紧凑的设计和高性能特点使其成为电动车电池管理系统（BMS）、电动工具驱动电路的理想选择。

总结来说，IXKK85N60C凭借其高电压、大电流、低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 600V 85A TO-264MOSFET 85 Amps 600V 36 Rds
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	超级结
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	85 A
Id-连续漏极电流	85 A
品牌	IXYS
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,IXYS IXKK85N60CCoolMOS™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IXKK85N60C
Qg-GateCharge	500 nC
Qg-栅极电荷	500 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	30 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	30 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	4 V
上升时间	27 ns
下降时间	10 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 4mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	650nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	36 毫欧 @ 55A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-264A
典型关闭延迟时间	110 ns
功率-最大值	-
包装	管件
单位重量	10 g
商标	IXYS
商标名	CoolMOS
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-264-3，TO-264AA
封装/箱体	TO-264-3
工厂包装数量	25
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	25
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	85A （Tc）
系列	IXKK85N60
通道模式	Enhancement
配置	Single