Datasheet下载- 型号： SI1441EDH-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1441EDH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1441EDH-T1-GE3价格参考。VishaySI1441EDH-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1441EDH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1441EDH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI1441EDH-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm超小型DFN1212封装，具有低导通电阻、小尺寸和高效率的特点。该器件适用于对空间和功耗要求严苛的便携式电子设备。 主要应用场景包括：智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关，用于控制不同模块的供电以降低待机功耗；在电池供电系统中作为理想二极管或反向电流保护元件，提升系统可靠性；广泛应用于DC-DC转换器和电压调节模块，实现高效的电源转换；还可用于LED驱动电路、小型电机控制及各类低电压逻辑控制开关场合。 其1.8V至10V的宽栅极驱动电压范围，使其兼容多种逻辑电平信号，便于与微控制器等数字电路直接接口。此外，该MOSFET具备良好的热性能和高功率密度，适合高集成度PCB设计。总体而言，SI1441EDH-T1-GE3特别适用于消费类电子产品、物联网终端及移动电源等紧凑型电子设备中的开关与电源管理功能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363MOSFET -20V 41mOhm@4.5V 4A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1441EDH-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1441EDH-T1-GE3SI1441EDH-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.8 W |
| Pd-功率耗散 | 2.8 W |
| Qg-GateCharge | 22 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 41 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 41 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 41 毫欧 @ 5A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 41 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI1417EDH-T1-GE3 |
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