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SQ3427EEV-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SQ3427EEV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SQ3427EEV-T1-GE3价格参考。VishaySQ3427EEV-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 5.5A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP。您可以下载SQ3427EEV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SQ3427EEV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SQ3427EEV-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: SQ3427EEV-T1-GE3常用于DC-DC转换器、降压/升压转换器和开关模式电源(SMPS)中,作为功率开关或同步整流器。其低导通电阻特性可以减少功耗,提高系统效率。 2. 负载开关: 在便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中,该MOSFET可用作负载开关,实现快速的电路切换和保护功能,同时降低热损耗。 3. 电池管理: 该型号适合用于锂离子电池保护电路中,提供过流保护、短路保护和充放电控制等功能,确保电池安全运行。 4. 电机驱动: 在小型电机驱动应用中(如风扇、泵或消费电子中的微型电机),SQ3427EEV-T1-GE3可以用作驱动开关,控制电机的启停和转速。 5. 通信设备: 在通信基站、路由器或其他网络设备中,该MOSFET可用于信号调理、电源调节和高效功率分配。 6. 汽车电子: 虽然该型号主要用于消费电子领域,但在某些低功率汽车子系统中(如信息娱乐系统、传感器接口等),也可用作开关元件。 总结来说,SQ3427EEV-T1-GE3凭借其优异的电气性能和紧凑的封装设计,广泛应用于需要高效功率转换和低损耗的场景,尤其适合对空间和能耗有严格要求的小型化电子产品。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOPMOSFET 60V 5.5A 5W P-Ch Automotive |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.5 A |
Id-连续漏极电流 | - 5.5 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SQ3427EEV-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SQ3427EEV-T1-GE3SQ3427EEV-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 5 W |
Pd-功率耗散 | 5 W |
Qg-GateCharge | 20.8 nC |
Qg-栅极电荷 | 20.8 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 82 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 82 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 7 nS |
下降时间 | 12 nS |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1125pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 82 毫欧 @ 4.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | SQ3427EEV-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 26 nS |
功率-最大值 | 5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 82 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | TSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
漏极连续电流 | - 5.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-siliconix-sq-series-mosfet/1181 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.5A (Tc) |
配置 | Single |
零件号别名 | SQ3427EEV-GE3 |