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产品简介:
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Nexperia USA Inc. 的 BUK7Y18-55B,115 是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于中高功率的开关应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,适用于需要高效能和可靠性的电路设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,作为高效的功率开关器件,提高能源利用效率。 2. 电机控制:在电动工具、风扇、泵等电机驱动电路中,用于控制电机的启停与转速调节。 3. 负载开关:作为高侧或低侧开关,用于控制电池供电设备中的负载通断,如便携式电子产品、电动车和储能系统。 4. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)、工业继电器替代方案中,用于实现快速、可靠的开关操作。 5. 汽车电子:适用于车载充电系统、车身控制模块(如灯光、窗户控制)等场景,符合汽车级可靠性要求。 该MOSFET采用标准封装(如DPAK或类似),便于散热和安装,适合在中等功率范围内应用,是工业和汽车电子系统中常用的功率器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 47.4A LFPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BUK7Y18-55B,115 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1263pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-5515-6 |
功率-最大值 | 85W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 47.4A (Tc) |