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IRFB20N50KPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB20N50KPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB20N50KPBF价格参考。VishayIRFB20N50KPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 280W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB20N50KPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB20N50KPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFB20N50KPBF是一款N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):该MOSFET适用于开关模式电源中的高频开关应用,能够高效地控制电流的通断,降低能耗。 2. 电机驱动:在电机控制电路中,IRFB20N50KPBF可以作为开关器件,用于调节电机的速度和方向,支持工业自动化设备中的小型电机驱动。 3. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,该MOSFET可用于将直流电转换为交流电,提供高效的功率转换能力。 4. 负载开关:在需要快速、可靠地开启或关闭负载的电路中,这款MOSFET可以用作负载开关,确保系统稳定运行。 5. DC-DC转换器:用于各种DC-DC转换电路中,实现电压调节功能,广泛应用于汽车电子、通信设备等领域。 6. 电磁阀控制:在工业控制和家电领域,可用于驱动电磁阀等感性负载,提供稳定的电流控制。 7. 保护电路:用作过流保护或短路保护器件,能够在异常情况下迅速切断电流,保护整个电路系统。 IRFB20N50KPBF具有500V的高击穿电压和低导通电阻的特点,适合高压环境下的功率管理应用。其紧凑的封装形式也使其易于集成到各种电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220ABMOSFET N-Chan 500V 20 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFB20N50KPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFB20N50KPBFIRFB20N50KPBF |
Pd-PowerDissipation | 280 W |
Pd-功率耗散 | 280 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 74 ns |
下降时间 | 33 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2870pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 毫欧 @ 12A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRFB20N50KPBF |
典型关闭延迟时间 | 45 ns |
功率-最大值 | 280W |
功率耗散 | 280 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 250 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 20 A |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 30 V |