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  • 型号: IRFP048RPBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP048RPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP048RPBF价格参考。VishayIRFP048RPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFP048RPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP048RPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFP048RPBF是Vishay Siliconix(现为Vishay旗下品牌)生产的一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性,适合在中高功率条件下工作。

典型应用场景包括:  
1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中,作为主开关元件,实现高效的能量转换。  
2. 电机驱动:适用于工业控制、电动工具、家用电器中的直流电机或步进电机驱动电路,提供快速响应和低损耗控制。  
3. 逆变器系统:在太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中,用于将直流电转换为交流电,发挥其高频开关性能优势。  
4. 照明控制:可用于高强度放电灯(HID)、LED驱动电源等大功率照明系统的调光与开关控制。  
5. 汽车电子:在车载电源系统、继电器替代、电池管理系统中也有应用,尤其适合对可靠性和温度耐受性要求较高的环境。

IRFP048RPBF采用TO-220AB封装,便于散热安装,符合RoHS标准(Pb-free),适用于注重环保与安全的工业设计。由于其良好的耐用性和性价比,该型号在工业、消费电子及汽车辅助系统中被广泛采用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 70A TO-247ACMOSFET N-Chan 60V 70 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

70 A

Id-连续漏极电流

70 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP048RPBF-

数据手册

http://www.vishay.com/doc?91199

产品型号

IRFP048RPBFIRFP048RPBF

Pd-PowerDissipation

190 W

Pd-功率耗散

190 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

18 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

18 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

250 ns

下降时间

250 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18 毫欧 @ 44A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

*IRFP048RPBF

典型关闭延迟时间

210 ns

功率-最大值

190W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

18 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

70 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

70A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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