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Datasheet下载- 型号： STW47NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
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STW47NM60ND产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW47NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW47NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTW47NM60ND封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 255W（Tc） TO-247。您可以下载STW47NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW47NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW47NM60ND是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率开关的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压（600V）和较大电流承载能力的特点，适用于以下主要领域： 1. 电源转换系统：如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），用于提高能效和减小体积。 2. 电机驱动：在工业自动化与家电中用于控制直流无刷电机或步进电机，提供快速开关与可靠性能。 3. 照明系统：包括LED路灯、工业照明等高功率照明设备中的恒流驱动电路。 4. 新能源应用：如太阳能逆变器、储能系统中实现电能转换与管理。 5. 电动汽车相关设备：用于车载充电器、DC-DC转换器等部件，满足高可靠性需求。 其封装形式便于散热设计，适合在高温环境下运行，是高性能功率开关的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 35A TO-247MOSFET N-Ch 600V 0.075 Ohm 35A FDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
| Id-连续漏极电流 | 35 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW47NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW47NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 255 W |
| Pd-功率耗散 | 255 W |
| Qg-GateCharge | 145 nC |
| Qg-栅极电荷 | 145 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 88 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 88 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4200pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 88 毫欧 @ 17.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-13126-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251415?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 225W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 88 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 35 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
| 系列 | STW47NM60ND |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
