Datasheet下载- 型号： IRF6620TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6620TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6620TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6620TR1PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6620TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6620TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）是一家全球领先的半导体制造商，其产品广泛应用于汽车、工业控制、能源管理和消费电子等领域。 型号为 IRF6620TR1PBF 的是一款由英飞凌（原International Rectifier）生产的 N沟道增强型MOSFET。该器件属于功率MOSFET，适用于高效率、高频开关应用。 主要应用场景包括： 1. 电源管理与DC-DC转换器：用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源转换系统。 2. 电机驱动：在工业自动化设备或电动工具中作为电机控制开关使用。 3. 负载开关与继电器替代方案：用于需要频繁通断的负载控制场合。 4. 逆变器与UPS系统：适用于不间断电源（UPS）和小型逆变器中实现高效的电能转换。 5. 电池管理系统：如电动车或储能系统中用于充放电控制。 6. 照明控制系统：例如LED驱动电路中进行调光或开关控制。 该MOSFET具备良好的导通电阻与电流承载能力，适合中高功率应用，并因其封装小巧（TO-252），便于在空间受限的设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6620TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.45V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4130pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 27A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其它名称 | IRF6620TR1PBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Ta）， 150A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6620.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6620.spi |
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