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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTD4909NAT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4909NAT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4909NAT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4909NAT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4909NAT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4909NAT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTD4909NAT4G是一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和快速开关性能的电源管理系统中。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、同步整流电路和电压调节模块（VRM），适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源设计。 2. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，提供低损耗控制。 3. 负载开关：用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中控制电源通断，实现节能与过流保护。 4. 逆变器与电源逆变系统：在小功率逆变器或UPS（不间断电源）中用于信号切换和功率转换。 5. 消费类电子产品：如电视、机顶盒、LED照明驱动电源等，用于高效率开关电源拓扑结构。 NTD4909NAT4G具有低栅极电荷（Qg）和低导通电阻（RDS(on)），有助于减少开关损耗和导通损耗，提升系统能效。其SOT-223封装便于散热，适合紧凑型高密度电路设计。此外，该型号符合RoHS标准，并具备无卤素环保特性，适用于对环保要求较高的工业与消费类应用。 综上，NTD4909NAT4G是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种中低功率开关电源及功率控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 41A SGL DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4909NAT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1314pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.37W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.8A （Ta）， 41A （Tc） |
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