Datasheet下载- 型号： SI4712DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4712DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4712DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4712DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4712DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4712DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4712DY-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管，采用1.8V逻辑电平兼容设计，适合低电压应用。该器件常用于便携式电子设备和电池供电系统中，典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理与负载开关控制。 SI4712DY-T1-GE3具有低导通电阻（RDS(on)），有助于减少功耗和发热，提升能效。其小尺寸封装（如TSOP-6）节省PCB空间，适用于高密度电路设计。常见用途包括DC-DC转换器的同步整流、电源开关、电机驱动、LED背光控制以及各类信号切换电路。 此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，适合工业控制、消费类电子及通信设备中的低功率开关应用。由于其栅极阈值电压较低，可直接由数字IC或微控制器驱动，简化了驱动电路设计。综合来看，SI4712DY-T1-GE3是一款高效、紧凑且可靠的P沟道MOSFET，广泛应用于对空间和能效要求较高的现代电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4712DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SkyFET®， TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1084pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14.6A （Tc） |
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