Datasheet下载- 型号： STB31N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB31N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB31N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTB31N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB31N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB31N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STB31N65M5是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件采用先进的MDmesh™ M5技术，具有650V的高击穿电压和较低的导通电阻（RDS(on)），具备优异的开关性能和能效表现。 STB31N65M5主要适用于需要高效率和高可靠性的电源转换场景。典型应用包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源和通信电源中，作为主开关器件，提升能效并降低热损耗。 2. PFC电路（功率因数校正）：在升压式PFC拓扑中表现出色，有助于满足能源效率标准（如80 PLUS认证）。 3. 照明电源：适用于LED驱动电源，特别是大功率LED照明系统，支持高效率和长寿命运行。 4. 消费类与工业适配器：用于笔记本电脑、家电等设备的AC-DC适配器中，实现小型化和高效能设计。 5. 太阳能逆变器：在部分中小功率光伏逆变器中用于DC-AC转换环节，提高系统整体效率。 该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和高温工作稳定性，适合在严苛环境下运行。其封装形式（如TO-220或I²PAK）便于散热设计，广泛应用于对空间和散热有要求的紧凑型电源模块。 综上所述，STB31N65M5是一款面向高能效电源系统的高性能MOSFET，特别适合中高功率开关电源及绿色能源应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAKMOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 13.9 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB31N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB31N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 148 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 148 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1865pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 148 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | 497-13084-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253436?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
| 系列 | STB31N65M5 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
