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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFIZ34E
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIZ34E由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIZ34E价格参考。International RectifierIRFIZ34E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFIZ34E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFIZ34E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFIZ34E 是一款N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于中低电压开关场景。其典型应用场景包括电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和电池供电设备。由于具备低导通电阻（RDS(on)）和高开关效率，IRFIZ34E特别适用于需要高效能和低功耗的系统，如便携式电子设备、电动工具和汽车电子系统。 在汽车领域，该器件可用于车身控制模块、车灯驱动或小型电机控制，因其具备良好的热稳定性和可靠性，能够适应较宽的温度范围。此外，在工业控制中，IRFIZ34E常用于继电器驱动、电源逆变器和负载开关电路，提供快速响应和低损耗性能。 总体而言，IRFIZ34E凭借其高性价比、优异的开关特性和坚固的封装设计，适合多种中等功率开关应用，尤其在注重能效与空间紧凑性的场合表现突出。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFIZ34E |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
| 其它名称 | *IRFIZ34E |
| 功率-最大值 | 37W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
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