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Datasheet下载- 型号： SI7788DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI7788DP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7788DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7788DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7788DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7788DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7788DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7788DP-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET，采用先进的TrenchFET®技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点。该器件适用于多种电源管理与功率开关应用场景。 主要应用场景包括：便携式电子设备中的负载开关或电源切换控制，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑；电池供电系统中的反向电流阻断与电池保护电路；DC-DC转换器中的同步整流，提升转换效率；以及各类电源管理系统中的高端或低端开关应用。 SI7788DP-T1-GE3支持逻辑电平驱动，可直接由3.3V或5V控制信号驱动，简化了设计复杂度，适合空间受限的高密度电路板布局。其小型化的PowerPAK® SO-8封装有助于提高功率密度并改善散热性能。 此外，该MOSFET还广泛用于热插拔电路、电机驱动、LED驱动电源及工业控制模块中，提供可靠的开关性能和良好的热稳定性。凭借Vishay Siliconix在功率半导体领域的技术优势，SI7788DP-T1-GE3在能效、可靠性和集成度方面表现优异，是现代高效节能电子产品中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 29.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7788DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7788DP-T1-GE3SI7788DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5.2 W |
| Pd-功率耗散 | 5.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5370pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 125nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.1 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7788DP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SI7788DP-GE3 |
