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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFS4C05NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFS4C05NT1G价格参考。ON SemiconductorNVMFS4C05NT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVMFS4C05NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVMFS4C05NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NVMFS4C05NT1G是一款N沟道功率MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场合。其典型应用场景包括:电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备。 该器件具有低栅极电荷和低导通电阻(RDS(on)),有助于提高能效并减少发热,适用于高密度电源设计。常见于消费类电子产品如笔记本电脑、平板和智能手机的电源系统中,也用于工业控制、LED照明驱动及汽车电子中的辅助电源模块。因其符合AEC-Q101车规标准,具备高可靠性,特别适合汽车环境下的应用,如车载信息娱乐系统、车身电子和传感器电源管理。 此外,NVMFS4C05NT1G采用紧凑型封装(如SO-8或Power SO-8),有利于节省PCB空间,适用于对尺寸敏感的设计。其稳定的性能和良好的热特性,使其在中等功率开关应用中表现出色,是现代高效能电子系统中理想的功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVMFS4C05NT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1972pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.4 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3.61W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 24.7A (Ta), 116A (Tc) |