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产品简介:
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STMicroelectronics的STF15N95K5是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效、高可靠性的电力电子系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器中,作为主开关元件,具有低导通电阻和高效率的特点,有助于提高能效并减少发热。 2. 电机驱动:适用于工业自动化设备、伺服电机和步进电机的驱动电路,具备较高的电流承载能力和快速开关特性,能够实现精确控制。 3. 汽车电子:可用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)及车身控制模块等场景,满足汽车应用对可靠性和温度耐受性的要求。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和光伏逆变器中用作功率开关,支持高频操作,有利于减小系统体积并提升响应速度。 5. 工业控制系统:如PLC、变频器和焊接设备等,适用于需要稳定、耐用功率器件的场合。 该器件采用先进的技术制造,具有优良的热性能和耐用性,适合在严苛环境中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 950V 12A TO220FPMOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A SuperMESH 5 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
Id-连续漏极电流 | 12 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF15N95K5SuperMESH5™ |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | STF15N95K5 |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
Qg-GateCharge | 40 nC |
Qg-栅极电荷 | 40 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 410 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 410 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 950 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 950 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 500 毫欧 @ 6A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | 497-14215-5 |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 950V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
系列 | STF15N95K5 |
配置 | Single |