Datasheet下载- 型号： SIR468DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR468DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR468DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR468DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR468DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR468DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIR468DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该型号适用于各种开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性可减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动中，SIR468DP-T1-GE3可以用作开关器件，控制电机的启停、速度和方向。 3. 负载开关：作为负载开关使用时，它可以快速、高效地接通或断开电路，适用于便携式电子设备中的电池管理和电源分配。 4. 电池保护：在电池管理系统（BMS）中，这款MOSFET可用于防止过流、短路或反向充电等异常情况，确保电池安全。 5. 信号切换：在音频或视频信号切换应用中，它能够实现低失真的信号传输，并具备良好的热稳定性和可靠性。 6. 逆变器与太阳能系统：用于微型逆变器或太阳能充电控制器中，提供高效的电力转换功能。 7. 消费类电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源管理和信号处理。 SIR468DP-T1-GE3采用紧凑的PowerPAK® SO-8封装，具有出色的散热性能和电气特性，非常适合需要高效率和小尺寸解决方案的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8MOSFET 30V 40A 50W 5.7mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR468DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR468DP-T1-GE3SIR468DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| Qg-GateCharge | 13.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1720pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR468DP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 90 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SIR468DP-GE3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
