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STP18N60M2产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP18N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP18N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTP18N60M2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 13A(Tc) 110W(Tc) TO-220。您可以下载STP18N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP18N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP18N60M2是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体为N沟道增强型功率MOSFET。该型号的主要应用场景包括但不限于以下几种: 1. 开关电源(SMPS) STP18N60M2常用于开关电源电路中,作为主开关管或同步整流管。其600V的耐压能力使其适合应用于高电压输入的场合,如工业电源、适配器和充电器等。低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通损耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,STP18N60M2可以用于控制直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。它能够承受较大的电流波动,并且具有较快的开关速度,适用于需要频繁启停或调速的电机控制系统,如电动工具、家用电器和工业自动化设备。 3. 逆变器和变频器 在逆变器和变频器中,STP18N60M2可以作为功率级的关键元件,用于将直流电转换为交流电,或者调节输出频率和电压。其高耐压和低损耗特性使得它在这些应用中表现出色,广泛应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及空调等家电的变频控制系统。 4. 负载开关 STP18N60M2可以用作负载开关,实现对负载的快速通断控制。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于电池管理系统(BMS)、汽车电子中的负载切换以及便携式设备的电源管理。 5. 保护电路 该器件还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流并通过适当的控制逻辑,STP18N60M2可以在异常情况下迅速切断电流路径,保护系统免受损坏。 总之,STP18N60M2凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关性能,在各种电力电子应用中表现出色,尤其适合需要高效能和可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V TO-220MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP18N60M2MDmesh™ II Plus |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP18N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 21.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 21.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 255 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 255 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 10.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 791pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 280 毫欧 @ 6.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13971-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Tc) |
| 系列 | STP18N60M2 |
| 配置 | Single |