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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDME410NZT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDME410NZT价格参考。Fairchild SemiconductorFDME410NZT封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDME410NZT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDME410NZT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDME410NZT 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,常用于中低功率的电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽工艺,具备低导通电阻(Rds(on))、高效率和良好热性能的特点,适用于需要高效能和紧凑设计的场合。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器等,用于提高转换效率,降低功耗。 2. 电池供电设备:例如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的电源开关和负载控制。 3. 电机驱动:用于小型电机或步进电机的控制,具备良好的开关特性和耐压能力。 4. 负载开关:在服务器、通信设备和工业控制系统中作为电子负载开关,实现对电路的快速通断控制。 5. 保护电路:如过流保护、热插拔保护等,利用其快速响应特性提升系统可靠性。 该MOSFET封装为TSOP,体积小巧,适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFETMOSFET 20V N-Channel PowerTrench |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
Id-连续漏极电流 | 7 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDME410NZTPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDME410NZT |
Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
Pd-功率耗散 | 1.4 W |
Qg-GateCharge | 9.2 nC |
Qg-栅极电荷 | 9.2 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.7 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
上升时间 | 3.4 ns |
下降时间 | 3.2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1025pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 7A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | MicroFet 1.6x1.6 |
其它名称 | FDME410NZTCT |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 30 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | MicroFET-6 1.6x1.6 Thin |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 35 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Ta) |
系列 | FDME410NZT |