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产品简介:
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STMicroelectronics的STW90NF20是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频率应用中。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。 STW90NF20的典型应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,用于提高能量转换效率,减少发热。 2. 电机控制:在电机驱动器和电动工具中,作为开关元件,控制电机的启停与转速。 3. 汽车电子:用于车载电源系统、电动助力转向(EPS)、起停系统等,满足汽车工业对可靠性和耐环境能力的要求。 4. 工业自动化:如变频器、伺服驱动器、PLC电源模块中,作为功率开关使用。 5. 充电设备:如电池充电器、电动车充电桩等,用于控制电流流向和开关动作。 6. 逆变器系统:在太阳能逆变器、UPS不间断电源中,作为核心开关元件,实现直流到交流的转换。 该MOSFET采用TO-247封装,便于散热,适合高功率密度设计,广泛应用于工业、汽车及消费类高功率设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 83A TO-247MOSFET N-channel 200V, 83A STripFET Mosfet |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 83 A |
| Id-连续漏极电流 | 83 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW90NF20STripFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW90NF20 |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 138 ns |
| 下降时间 | 142 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5736pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 164nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 45A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-8464-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 148 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 83A (Tc) |
| 系列 | STW90NF20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |