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Datasheet下载- 型号： SI7102DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI7102DN-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7102DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7102DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7102DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 12V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7102DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7102DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7102DN-T1-GE3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管，广泛应用于中小功率的开关和电源管理场景。该器件采用先进的沟槽工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和快速开关特性，适合对功耗和空间要求较高的设计。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源开关与负载管理；电池供电系统中的电源控制与反向电流保护；DC-DC转换器中的同步整流与开关调节；以及电机驱动、LED驱动和热插拔电路等。其SOT-23封装体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，非常适合消费类电子、工业控制和通信设备中的低电压、低功耗应用。此外，SI7102DN-T1-GE3符合RoHS环保标准，支持无铅焊接，适用于现代绿色电子产品制造。总体而言，该MOSFET凭借其高性能与小尺寸，在需要高效能和紧凑设计的电子系统中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 3.72 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8MOSFET 12V 35A 52W 3.8mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?74250 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7102DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7102DN-T1-GE3SI7102DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| Qg-栅极电荷 | 73 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 125 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3720pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.8 毫欧 @ 15A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7102DN-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 53 ns |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7102DN-GE3 |
