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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF4N80K5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF4N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTF4N80K5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STF4N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF4N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STF4N80K5是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于FET晶体管中的MOSFET类别。该器件广泛应用于需要高效功率管理与开关控制的场景。 STF4N80K5的主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器,因其高耐压(800V)和良好的导通电阻特性,能有效提升电源转换效率。 2. 电机驱动:可用于工业电机控制、电动工具及家电中的电机驱动电路,提供快速开关和低损耗性能。 3. 照明系统:在LED照明、镇流器和高压气体放电灯控制中作为高频开关元件,支持节能与稳定工作。 4. 逆变器与UPS系统:适用于不间断电源(UPS)和光伏逆变器中的功率转换模块,具备良好的热稳定性和高可靠性。 5. 消费类电子产品:如电视机、电源适配器、充电器等设备中的功率开关元件,满足小型化和高效能需求。 该MOSFET采用TO-220或类似封装,便于散热和安装,适合在中高功率应用中使用。其快速恢复体二极管也增强了在感性负载应用中的可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220FPMOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF4N80K5SuperMESH5™ |
数据手册 | |
产品型号 | STF4N80K5 |
Pd-PowerDissipation | 20 W |
Pd-功率耗散 | 20 W |
Qg-GateCharge | 10.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 10.5 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.1 Ohms |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 15 ns |
下降时间 | 21 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 175pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.5 欧姆 @ 1.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | 497-14034-5 |
典型关闭延迟时间 | 36 ns |
功率-最大值 | 20W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
商标名 | SuperMesh |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 2.1 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 800 V |
漏极连续电流 | 3 A |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Tc) |
系列 | STF4N80K5 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |