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产品简介:
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IPU80R1K0CEBKMA1 是英飞凌(Infineon Technologies)生产的一款功率 MOSFET,属于碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)。该器件具有高耐压、低导通电阻和高频开关特性,适用于对效率和功率密度要求较高的电力电子系统。 应用场景包括: 1. 电动汽车充电系统:用于车载充电机(OBC)或直流快充设备,提升转换效率,减小系统体积。 2. 光伏逆变器:在太阳能逆变系统中,实现高效的直流到交流转换,提升能源利用率。 3. 工业电源与UPS系统:用于不间断电源(UPS)和高效率开关电源,提高系统可靠性和能效。 4. 电机驱动与变频器:适用于工业电机控制和伺服驱动器,支持高频开关和节能运行。 5. 储能系统(ESS):用于储能逆变器中,实现高效充放电管理,提升整体系统效率。 该器件基于碳化硅技术,具备优异的热性能和开关特性,适用于高温和高频率工作环境,有助于实现更紧凑、更高效率的电力电子设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | * |
| FET类型 | * |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPX80R1K0CE_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IPU80R1K0CEBKMA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | * |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | * |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | * |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | SP001100624 |
| 功率-最大值 | * |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | * |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | * |