【未分类_IRF9Z34NPBF】封装/厂家_IRF9Z34NPBF中文资料_价格

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型号： IRF9Z34NPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z34NPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z34NPBF价格参考￥1.99-￥2.02。International RectifierIRF9Z34NPBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRF9Z34NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9Z34NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF9Z34NPBF 是由 Infineon Technologies 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括：

1. 电源管理：  
   IRF9Z34NPBF 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块中，作为高效的开关元件。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高系统的整体效率。

2. 负载开关：  
   在需要控制负载通断的电路中，该器件可用作负载开关。例如，在汽车电子、工业设备或消费电子产品中，通过快速响应和低功耗的特点实现对负载的有效管理。

3. 电机驱动：  
   适用于小型直流电机的驱动电路，尤其是在需要反向电流保护或高效开关的应用中。P 沟道 MOSFET 的特性使其非常适合高边开关配置。

4. 电池管理系统 (BMS)：  
   在电池保护电路中，IRF9Z34NPBF 可用于防止过流、短路或反向充电等问题，确保电池的安全运行。它在高边应用中的优势尤为突出。

5. 逆变器与太阳能系统：  
   该 MOSFET 可用于小型逆变器或太阳能微逆变器中，提供高效的开关性能，支持能量转换过程中的高频操作。

6. 信号切换：  
   在通信设备或测试仪器中，IRF9Z34NPBF 可用作信号切换元件，实现不同信号路径的选择和隔离。

7. 汽车电子：  
   由于其可靠性高且耐高温，该器件广泛应用于汽车电子领域，如车灯控制、电动座椅调节以及引擎管理系统等。

总结来说，IRF9Z34NPBF 凭借其优异的电气特性和稳定性，适合多种需要高效开关和功率管理的场景，特别是在高边开关应用中表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET P-CH 55V 19A TO-220ABMOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	- 17 A
Id-连续漏极电流	- 17 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9Z34NPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF9Z34NPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	56 W
Pd-功率耗散	56 W
Qg-GateCharge	23.3 nC
Qg-栅极电荷	23.3 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	100 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	100 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 55 V
Vds-漏源极击穿电压	- 55 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	620pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	35nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	100 毫欧 @ 10A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	*IRF9Z34NPBF
功率-最大值	68W
功率耗散	56 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	100 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	P-Channel
栅极电荷Qg	23.3 nC
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	- 55 V
漏极连续电流	- 17 A
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	19A （Tc）
闸/源击穿电压	20 V