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  • 型号: NDD05N50ZT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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NDD05N50ZT4G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NDD05N50ZT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDD05N50ZT4G价格参考。ON SemiconductorNDD05N50ZT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 500V 4.7A(Tc) 83W(Tc) DPAK。您可以下载NDD05N50ZT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDD05N50ZT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V 5A DPAKMOSFET NFET IPAK 500V 5A 1.2OHM

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3 A

Id-连续漏极电流

3 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDD05N50ZT4G-

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产品型号

NDD05N50ZT4G

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

83 W

Pd-功率耗散

83 W

Qg-GateCharge

28 nC

Qg-栅极电荷

28 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

15 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

530pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 欧姆 @ 2.2A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

NDD05N50ZT4GOSDKR

典型关闭延迟时间

24 ns

功率-最大值

83W

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

3.5 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.7A (Tc)

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