Datasheet下载- 型号： BUK7109-75AIE,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7109-75AIE,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7109-75AIE,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK7109-75AIE,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK7109-75AIE,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7109-75AIE,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK7109-75AIE 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下关键参数：VDS（漏源电压）为 75V，RDS(on)（导通电阻）低至 1.8mΩ（典型值），连续漏极电流 ID 高达 62A（在特定条件下）。这些特性使其适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于： 1. 开关电源 (SMPS) BUK7109-75AIE 的低导通电阻和高电流能力使其成为开关模式电源的理想选择，例如 DC-DC 转换器、降压或升压转换器等。其快速开关性能有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动 该器件适合用于小型直流电机或无刷直流电机 (BLDC) 的驱动电路中，提供高效的开关控制和低功耗运行。 3. 电池管理系统 (BMS) 在电池保护和管理应用中，BUK7109-75AIE 可用作充电/放电路径的开关，确保高效且安全的操作。 4. 负载切换 由于其低导通电阻特性，该 MOSFET 可用于需要频繁切换大电流负载的应用中，如汽车电子设备中的负载切换。 5. 逆变器和 UPS 系统 在不间断电源 (UPS) 和逆变器系统中，BUK7109-75AIE 可作为功率级开关元件，提供稳定的输出电压和电流。 6. 工业自动化与控制 它可用于工业自动化设备中的继电器替代方案，实现更快速、可靠和紧凑的设计。 7. 消费类电子产品 在笔记本电脑适配器、LED 驱动器和其他消费类电子产品的电源管理模块中，该器件能够提供高效的功率转换。 总的来说，BUK7109-75AIE 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和低损耗的场合，特别是在中小功率范围内的各种电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAKMOSFET TRENCHPLUS MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 电流感测 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7109-75AIE,118TrenchPLUS |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK7109-75AIE,118 |
| Pd-PowerDissipation | 272 W |
| Pd-功率耗散 | 272 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 108 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 121nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9630-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 185 ns |
| 功率-最大值 | 272W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-5，D²Pak（4 引线+接片），TO-263BB |
| 封装/箱体 | SOT-426-5 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tmb） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | /T3 BUK7109-75AIE |
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