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DMN1019UFDE-7产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN1019UFDE-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN1019UFDE-7价格参考。Diodes Inc.DMN1019UFDE-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 12V 11A (Ta) 690mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)。您可以下载DMN1019UFDE-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN1019UFDE-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN1019UFDE-7 是一款N沟道MOSFET,属于单MOSFET晶体管,广泛应用于便携式电子设备和高效率电源管理场景。其主要应用场景包括:智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的电源开关与负载切换;用于电池供电系统的低功耗管理模块,如电池保护电路和充放电控制;在DC-DC转换器中作为同步整流或开关元件,提升转换效率;适用于热插拔电路和过流保护设计,因其低导通电阻(RDS(on))和小封装(DFN1006),有助于减小整体电路尺寸并降低功耗。此外,该器件也常见于LED驱动电路、传感器电源控制及各类小型电源管理系统中。由于其最大耐压20V、持续电流能力较强且具备优良的开关特性,DMN1019UFDE-7特别适合空间受限但对能效要求较高的应用环境。总体而言,这款MOSFET凭借小型化封装和高性能表现,成为现代便携式电子设备中理想的功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6EMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN1019UFDE-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN1019UFDE-7 |
| Pd-PowerDissipation | 0.69 W |
| Pd-功率耗散 | 690 mW |
| Qg-GateCharge | 27.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 27.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.8 V |
| 上升时间 | 22.2 ns |
| 下降时间 | 16.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2425pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50.6nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 9.7A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | DMN1019UFDE-7DITR |
| 典型关闭延迟时间 | 57.6 ns |
| 功率-最大值 | 690mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 10 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN |
| 封装/箱体 | UDFN2020-6 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 28 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta) |
| 系列 | DMN1019U |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |