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Datasheet下载- 型号： STB11N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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STB11N65M5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB11N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB11N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTB11N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 650V 9A（Tc） 85W（Tc） D2PAK。您可以下载STB11N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB11N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号STB11N65M5是一款N沟道功率MOSFET，属于MDmesh™ M5技术系列。它具有650V的耐压能力，适用于高电压应用场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） STB11N65M5常用于开关电源的设计中，包括AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）和优化的开关特性使其适合高频开关应用，能够提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 该器件可用于工业电机驱动和家用电器中的电机控制。其高电压耐受能力和良好的热性能，能够满足电机启动、运行及制动时的高电流需求。 3. 光伏逆变器 在太阳能光伏发电系统中，STB11N65M5可作为逆变器的核心元件，用于将直流电转换为交流电。其高效能表现有助于提升系统的整体转换效率。 4. 不间断电源（UPS） 在UPS系统中，该MOSFET可用于电池充放电管理以及逆变电路中，确保在市电中断时提供稳定的备用电源输出。 5. 电子负载与保护电路 STB11N65M5适用于各种过流保护、短路保护电路，以及动态负载调节应用。其坚固耐用的设计可以承受瞬态高压或大电流冲击。 6. 电动车充电设备 在电动汽车充电桩中，这款MOSFET可用于功率转换模块，支持快速充电功能，并保证系统的稳定性和可靠性。 7. 工业自动化与控制 它广泛应用于工业自动化领域的固态继电器、电磁阀驱动和其他需要高电压切换的场合。 总之，STB11N65M5凭借其出色的电气特性和稳定性，非常适合需要高效功率转换和控制的高电压应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 650V 9A D2PAKMOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB11N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB11N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 85 W |
| Pd-功率耗散 | 85 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 480 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 480 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 644pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 480 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | 497-13144-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253458?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 480 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 650 V |
| 漏极连续电流 | 9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
| 系列 | STB11N65 |
