Datasheet下载- 型号： STB11NM60-1
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB11NM60-1由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB11NM60-1价格参考。STMicroelectronicsSTB11NM60-1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB11NM60-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB11NM60-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB11NM60-1是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该器件适用于各种开关电源设计，如AC/DC和DC/DC转换器。其600V的高耐压能力使其能够胜任高压输入环境下的功率转换任务。 2. 电机控制：在工业自动化和家用电器中，STB11NM60-1可用于驱动小型到中型电机。其低导通电阻（典型值为1.5Ω）有助于减少功率损耗并提高效率。 3. 电磁阀驱动：在需要频繁开关电磁阀的应用中，这款MOSFET可以提供快速、可靠的切换性能，同时保持较低的工作温度。 4. 逆变器与太阳能系统：作为关键组件之一，它适合用于微型逆变器或离网太阳能系统的功率管理部分，帮助实现能量的有效分配和利用。 5. 负载切换与保护电路：由于具备良好的热稳定性和电气特性，该产品常被用来构建高效的负载切换解决方案以及过流保护机制。 6. 汽车电子：尽管不是专门针对汽车级认证的产品，但在某些非核心车载应用中（例如照明控制、辅助设备供电等），也可能采用此类高性能MOSFET。 总之，凭借其优异的参数表现及可靠性，STB11NM60-1广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及通信基础设施等领域，为各类电力控制系统提供强有力的支持。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB11NM60-1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 497-5379-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67095?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
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