| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI12N60TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI12N60TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI12N60TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQI12N60TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQI12N60TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI12N60TU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。其典型应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:适用于笔记本电脑、手机等便携设备的AC-DC电源转换电路,提供高效、低损耗的功率开关功能。 2. DC-DC转换器:在服务器、通信设备和工业控制系统中,用于电压调节模块(VRM)或负载点电源(POL)系统,实现高效能的直流电压转换。 3. 电机控制与驱动:在电动工具、家电电机或工业自动化系统中,作为功率开关用于控制电机的速度和方向。 4. 照明系统:如LED驱动电源中,用于高频开关操作,提高能效并减小电源体积。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中,用于功率转换和能量管理,具备良好的热稳定性和过载能力。 该器件具备12A电流承载能力和600V击穿电压,采用TO-252(DPAK)封装,适合表面贴装,具备良好的散热性能和可靠性,适用于中高功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI12N60TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 700 毫欧 @ 5.3A,10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10.5A (Tc) |