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  • 型号: IRLR3410PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRLR3410PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3410PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3410PBF价格参考。International RectifierIRLR3410PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR3410PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR3410PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRLR3410PBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:  
   IRLR3410PBF适用于各种开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性使其在高效能电源管理应用中表现出色,能够降低功耗并提高系统效率。

2. 电机驱动:  
   该器件常用于小型直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路中。其快速开关速度和低损耗特点非常适合控制电机的速度和方向。

3. 电池管理系统(BMS):  
   在便携式电子设备、电动工具和电动车的电池保护电路中,IRLR3410PBF可用于过流保护、短路保护以及充放电控制。

4. 负载切换:  
   它可以作为负载开关使用,用于控制不同负载的开启与关闭,例如汽车电子中的负载切换或工业自动化中的继电器替代方案。

5. 逆变器和UPS系统:  
   在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,IRLR3410PBF可参与功率级的设计,提供高效的能量转换功能。

6. 消费电子产品:  
   包括智能手机充电器、平板电脑适配器和其他便携式设备的电源设计,利用其紧凑封装和高性能特点实现小型化设计。

7. 汽车电子:  
   该器件符合车规级要求,广泛应用于汽车电子领域,如车身控制系统、LED照明驱动和启动/停止系统等。

总结来说,IRLR3410PBF凭借其低导通电阻(典型值为3.5mΩ@Vgs=10V)、高电流处理能力和出色的热性能,成为许多高效能、低功耗应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 17A DPAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

15 A

Id-连续漏极电流

15 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3410PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRLR3410PBF

Pd-PowerDissipation

52 W

Pd-功率耗散

52 W

Qg-GateCharge

22.7 nC

Qg-栅极电荷

22.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

155 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

155 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2 V

上升时间

53 ns

下降时间

26 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

34nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

105 毫欧 @ 10A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

79W

功率耗散

52 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

155 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

22.7 nC

标准包装

75

正向跨导-最小值

7.7 S

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

15 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlr3410.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlr3410.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

16 V

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