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IRLR3410PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3410PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3410PBF价格参考。International RectifierIRLR3410PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR3410PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR3410PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLR3410PBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: IRLR3410PBF适用于各种开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性使其在高效能电源管理应用中表现出色,能够降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动: 该器件常用于小型直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路中。其快速开关速度和低损耗特点非常适合控制电机的速度和方向。 3. 电池管理系统(BMS): 在便携式电子设备、电动工具和电动车的电池保护电路中,IRLR3410PBF可用于过流保护、短路保护以及充放电控制。 4. 负载切换: 它可以作为负载开关使用,用于控制不同负载的开启与关闭,例如汽车电子中的负载切换或工业自动化中的继电器替代方案。 5. 逆变器和UPS系统: 在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,IRLR3410PBF可参与功率级的设计,提供高效的能量转换功能。 6. 消费电子产品: 包括智能手机充电器、平板电脑适配器和其他便携式设备的电源设计,利用其紧凑封装和高性能特点实现小型化设计。 7. 汽车电子: 该器件符合车规级要求,广泛应用于汽车电子领域,如车身控制系统、LED照明驱动和启动/停止系统等。 总结来说,IRLR3410PBF凭借其低导通电阻(典型值为3.5mΩ@Vgs=10V)、高电流处理能力和出色的热性能,成为许多高效能、低功耗应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 17A DPAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3410PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR3410PBF |
| Pd-PowerDissipation | 52 W |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Qg-GateCharge | 22.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 155 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 155 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 53 ns |
| 下降时间 | 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 105 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 79W |
| 功率耗散 | 52 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 155 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 22.7 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 7.7 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 15 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlr3410.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlr3410.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |