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  • 型号: FQAF7N90
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF7N90由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF7N90价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF7N90封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQAF7N90参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQAF7N90 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQAF7N90是安森美(ON Semiconductor)生产的一款高压N沟道MOSFET,属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件额定电压为900V,连续漏极电流可达7A,具有低导通电阻和高开关效率的特点,适用于高电压、中等电流的开关电源应用。

其主要应用场景包括:  
1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC转换器中,如工业电源、服务器电源和电信电源,适合反激式、正激式等拓扑结构。  
2. 照明电源:应用于高强度气体放电灯(HID)、LED路灯驱动电源等,支持高启动电压和稳定工作需求。  
3. 电机驱动:在小型工业电机或家用电器的控制电路中作为开关元件使用。  
4. 光伏逆变器:用于太阳能发电系统中的DC-AC转换环节,实现高效能量转换。  
5. 高压电源模块:如激光电源、医疗设备电源等需要高耐压能力的场合。

FQAF7N90采用TO-220F或类似封装,具备良好的热性能和可靠性,适合在高温环境下稳定运行。其快速开关特性和优化的栅极电荷设计有助于降低开关损耗,提高整体能效,符合能源效率标准要求。

综上,FQAF7N90是一款适用于高电压工业与消费类电源系统的高性能MOSFET,尤其适合对效率和可靠性有较高要求的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 900V 5.2A TO-3PF

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQAF7N90

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2280pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

59nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.55 欧姆 @ 2.6A,10V

供应商器件封装

TO-3PF

功率-最大值

107W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

SC-94

标准包装

360

漏源极电压(Vdss)

900V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.2A (Tc)

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