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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI1467DH-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效、低电压控制的电子电路中。该器件的主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板电脑和移动设备中的 DC-DC 转换器与负载开关,实现高效的电能转换与分配。 2. 电池供电设备:由于其低导通电阻(Rds(on))和小封装形式,适合用于智能手机、穿戴设备等便携式电子产品中的电源开关与电池保护电路。 3. 电机控制与驱动:在小型电机、风扇或继电器控制中作为开关元件使用,具备快速开关响应特性,提升系统效率。 4. 负载开关应用:用于控制不同功能模块的供电,如传感器、显示屏等外设的开启与关闭,有助于降低待机功耗。 5. 工业控制设备:应用于工业自动化系统中的信号切换与功率控制,具有良好的稳定性和可靠性。 SI1467DH-T1-E3 采用 TSOP 封装,体积小巧,适合高密度 PCB 设计,且符合 RoHS 环保标准,广泛适用于消费类电子、通信设备及工业控制系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SI1467DH-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 561pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 2A,4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
| 功率-最大值 | 2.78W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Tc) |