Datasheet下载- 型号： FDB20N50F
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB20N50F由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB20N50F价格参考。Fairchild SemiconductorFDB20N50F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB20N50F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB20N50F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDB20N50F是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于开关电源中的高频开关应用，能够高效地进行电压转换和调节。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高整体效率。 2. 电机控制：在电机驱动电路中，FDB20N50F可以用作开关器件，控制电机的启动、停止和速度调节。其高击穿电压（Vds）使其能够承受较高的电压波动，适合多种电机控制场景。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，这款MOSFET可以用于将直流电转换为交流电。其快速开关特性和低损耗设计有助于提高逆变器的效率和可靠性。 4. DC-DC转换器：在汽车电子和工业设备中，FDB20N50F可用于DC-DC转换器，实现电压的升降转换。其良好的热性能和电气特性使其能够在严苛环境下稳定工作。 5. 负载开关：在需要频繁切换负载的应用中，如电池管理系统或消费电子产品，这款MOSFET可以用作负载开关，提供快速响应和低功耗的切换功能。 6. 电磁兼容性（EMI）滤波器：在某些应用中，FDB20N50F可以用于EMI滤波器电路，帮助减少电磁干扰，确保系统的稳定运行。 7. 保护电路：在过流保护、短路保护等安全电路中，这款MOSFET可以用作关键的开关元件，及时切断异常电流，保护系统免受损害。 综上所述，FDB20N50F凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电力电子、工业自动化、汽车电子和消费类电子产品等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDB20N50F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FRFET®， UniFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3390pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 260 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | FDB20N50FDKR |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
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