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- 型号： STU8N80K5
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STU8N80K5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STU8N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTU8N80K5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STU8N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STU8N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 STU8N80K5 是一款 N 沟道增强型高压 MOSFET，属于晶体管 - FET 分类中的单MOSFET器件。该器件具有 800V 的高漏源击穿电压和 8A 的连续漏极电流能力，适用于高电压、中等功率的应用场景。 主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、AC-DC 转换器、离线式电源适配器等，因其具备高耐压和良好的开关性能，可提升电源效率并减小系统体积。 2. 照明系统：适用于 LED 驱动电源，特别是在高压直流输入或市电整流后的应用中，能有效实现恒流控制与高效能量转换。 3. 电机驱动：可用于中小功率电机控制电路，如家用电器中的风机、水泵驱动模块，在变频控制中表现出良好的动态响应。 4. 光伏逆变器：在太阳能微逆变器或辅助电源电路中，作为功率开关元件，支持高效率能量转换。 5. 工业控制系统：用于继电器驱动、电磁阀控制或隔离电源模块中，提供可靠的高压开关功能。 STU8N80K5 采用先进的超结（Super Junction）技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷和优良的热稳定性，有助于降低开关损耗和传导损耗，提升整体系统能效。其封装形式通常为 TO-220 或 TO-220FP，便于散热安装，适合紧凑型高功率密度设计。 综上，STU8N80K5 特别适用于需要高电压耐受能力和高效开关性能的工业、消费类及绿色能源电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 800V 6A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STU8N80K5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH5™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 950 毫欧 @ 3A， 10V |
| 供应商器件封装 | TO-251 |
| 其它名称 | 497-13658-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF253678?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
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